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對(duì)GaAs,Inp 等半導(dǎo)體基板進(jìn)行劃線和裂片的設(shè)備。 可用于研發(fā)及量產(chǎn)。
最大可劃晶圓尺寸8英寸
劃痕寬度≤10μm;分辨率1μm
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